Menor transístor do mundo promete dispositivos ultrafinos

Investigadores da Universidade de Cornell, nos Estados Unidos, criaram um transístor com apenas três átomos de espessura, recorrendo a um material experimental, o transition metal dichalcogenide (TMD). A pesquisa, publicada na revista Nature, detalha em pormenor como se processa o desenvolvimento de transístores suficientemente estáveis para serem produzidos em massa.

“O desempenho elétrico dos nossos materiais era comparável aos resultados reportados a partir de um único cristal de dissulfato de molibdénio, mas em vez de ser um cristal minúsculo, nós conseguimos um wafer de 10 centímetros”, disse Jiwoong Park, professor de química e biologia química na Cornell.

Criar películas ultrafinas em vez das formadas em cristal tem sido o maior obstáculo para alcançar o objetivo principal que é o uso dos transístores em dispositivos reais e que permitirá uma maior miniaturização tecnológica.

Uma técnica chamada de metal organic chemical vapour deposition (MOCVD), utilizada por norma em contexto industrial, foi utilizada para formar as películas numa camada de átomos de cada vez. O método MOCVD foi também usado para criar uma película separada do transístor com propriedades elétricas e cores diferentes.

“Estes foram apenas os dois primeiros materiais, mas queremos fazer toda uma paleta de materiais”, disse Park. Dos 200 transístores ultrafinos produzidos pelos investigadores, apenas dois não conseguiram conduzir eletricidade, ou seja, a técnica atingiu uma taxa de sucesso de 99%.

No entanto, ainda há vários obstáculos que precisam de ser vencidos antes de as películas poderem ser usadas em aparelhos funcionais, como por exemplo o modo de produzir as TMD em baixa temperatura para evitar a combustão de alguns componentes.

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